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光激发电荷畴与光注入畴器件
【作者】 施卫；
【机构】 西安理工大学应用物理系；
【摘要】 <正>当今信息时代的特征之一就是因超短电脉冲的独特性能给通信、雷达、电子对抗和电磁武器等领域带来的深远影响.研究表明,在兼顾电脉冲功率和带宽两方面,光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches,简称PCSS’s)是最有效的微波源.在所研制的30kV/500A、脉宽约100ps的器件系统实验中,我们认识到PCSS’s工作在高倍增模式的丝状电流现象对应于光激发电荷畴.并在实验中首次观察到了这一现象;光激发电荷畴的形成,导致GaAs PCSS’s在远小于其击穿场强的偏置下大于4kV/cm),GaAs PCSS’s内出现光控预击穿(碰撞电离的程度)和辐射复合的发生.正是
- 【会议录名称】 西部大开发 科教先行与可持续发展——中国科协2000年学术年会文集
- 【会议名称】中国科协2000年学术年会
- 【会议时间】2000
- 【分类号】TN241
- 【主办单位】中国科学技术协会