【作者】 许钊庚； 何世堂； 汪承灏；

【Author】 Xu Zhaogeng He Shitang Wang Chenghao (Institute of Acoustics, Acaderaia Sinica, Beijing 100080)

【机构】 中国科学院北京声学研究所；

【摘要】 <正>移动通信的迅速发展,对声表面波（SAW）滤波器提出了愈来愈高的要求。一方面,要求SAW滤波器的插损要低,以提高信噪比、降低功耗:另一方面,要求SAW滤波器有较宽的带宽。窄带低插损SAW滤波器比较成熟,但是宽带的低插损SAW滤波器设计比较困难。Morita等人分别利用36°LiTaO₃和64°LiNbO₃基片上的漏波采用纵向耦合谐振结构实现了相对带宽1％—2％（一二次模）,4％（一三次模）的低插损滤波器。本文利用更高机电耦合系数的41°LiNbO₃材料上的漏波,采用一三次模的纵向耦合滤波器,在改进反射栅阵后,实现了1dB带宽6.5％或者3dB相对带宽7.6％的宽带低插损滤波器,其插入损耗只有2dB,通带波纹小于0.8dB。更多还原