【作者】 孙大鹏；

【导师】 李志国；

【作者基本信息】 北京工业大学 ， 微电子学与固体电子学， 2001， 硕士

【摘要】 本实验对GaAs MESFET栅Schottky势垒接触及整体器件进行了较为系统和深入的研究，针对目前常规评价方法不能适应当前微电子器件快速发展的需要而出现的诸多问题，提出了恒定应力下的温度斜坡法（简称TRM法），动态观察和分析器件退化全过程，并应用此方法成功给出了实验样品的寿命预测值和失效率。针对实验过程中出现的，样品的退化机理由一种以上构成，作者提出了权重的概念，并以此为根据对实验结果做出了合理解释，所得实验数据与常规方法具有可比性。通过本实验，已经成功摸索出了一种微电子器件快速评价的新方法。更多还原

【Abstract】 A systematical and intensively study of Schottky barrier and the whole device of GaAs MESFET has been presented in this paper. To the weaknesses of conventional method , the author put forward the Temperature Ramp Measurement (TRM) .This method can observe whole process of change dynamically and extract the lifetime and failure rate To the multiple failure mechanism in the degradation process , we define the concept of the weight and give a reasonable explaination of the result by this concept . Through the experiment , we have already find a new method of rapid evaluation of the microelectronics devices更多还原