节点文献

Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的耐压特性研究

Study on Voltage-Withstand Property of Ba0.6Sr0.4TiO3 Thin Films

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 朱斌； 张洪波； 王文君； 李司中； 赵强； 陈宏伟； 杨传仁； 张继华；

【Author】 ZHU Bin,ZHANG Hongbo,WANG Wenjun,LI Sizhong,ZHAO Qiang,CHEN Hongwei,YANG Chuanren,ZHANG Jihua(State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China)

【机构】 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室；

【摘要】 采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了基片、退火温度及膜厚对薄膜耐压特性的影响。结果显示,铝酸镧(LaAlO3)基片上制备的BST薄膜表面较平整,有较好的耐压;随着退火温度从750℃提高到850℃,BST薄膜晶粒长大,电击穿概率有所增加,750℃是一个较合理的退火温度。在优化的工艺条件下,BST薄膜耐压可达125V/μm。

【Abstract】 Ba0.6Sr0.4TiO3(BST) thin films were prepared by radio-frequency magnetron sputtering method and the effect of the substrate,annealing temperature and film thickness on the voltage-withstand property was studied.The result shows that the BST thin films deposited on LaAlO3 substrates has smoother surface and higher voltage-withstand property.The crystalline grain size of the BST thin film become larger with the annealing temperature increased from 750 ℃ to 850 ℃,and the electrical breakdown probability has been increased to some extent.In our results,750 ℃ is a more reasonable temperature for the films annealing.At the optimized process,BST thin film can withstand more than 125 V/μm.

【关键词】 Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜； 铁电； 耐压； 集成电容；
【Key words】 BST films； ferroelectric； voltage withstand； integrated capacitor；
【基金】 国家自然科学基金资助项目(51172035)
  • 【文献出处】 压电与声光 ,Piezoelectrics & Acoustooptics , 编辑部邮箱 ,2013年01期
  • 【分类号】TB383.2
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】95
打印本页
节点文献中：