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VDMOS过温保护功能的实现

Realization of Over-Temperature Protection for VDMOS

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【作者】 何建； 谭开洲； 徐学良； 王健安； 陈光炳； 刘小龙； 任敏； 李泽宏； 张金平；

【Author】 HE Jian1,TAN Kaizhou2,XU Xueliang3,WANG Jian’an3,CHEN Guangbing2,LIU Xiaolong4, REN Min4,LI Zehong4,ZHANG Jinping4(1.Civil Aviation Flight University of China,Guanghan,Sichuan 618307,P.R.China; 2.Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory,Chongqing 400060,P.R.China; 3.Sichuan Institute of Solid-State Circuits,China Electronics Technology Group Corp.,Chongqing 400060,P.R.China; 4.State Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices,Univ.of Elec.Sci.& Technol.of China,Chengdu 610054,P.R.China)

【机构】 中国民航飞行学院； 模拟集成电路重点实验室； 中国电子科技集团公司第二十四研究所； 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；

【摘要】 提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件。对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构。仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在温度降回142℃时实现自重启。该温度迟滞功能可有效防止热振荡。

【Abstract】 A vertical double-diffusion MOSFET(VDMOS) integrated with over-temperature protection function was proposed.Mechanism of over-temperature protection was analyzed,and an improved over-temperature protection circuit was presented for power device.Simulation results showed that the proposed device could be turned off at 174 ℃ and restart at 142 ℃.This thermal hysteresis function could effectively prevent the device from thermal oscillation.

【关键词】 VDMOS； 过热保护； 可靠性； 热滞回；
【Key words】 VDMOS； Over-temperature protection； Reliability； Thermal hysteresis；
  • 【文献出处】 微电子学 ,Microelectronics , 编辑部邮箱 ,2012年03期
  • 【分类号】TN386.1
  • 【被引频次】2
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