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一种无运放低压低功耗CMOS带隙基准电压源的设计

Design of a Low Voltage Low Power CMOS Bandgap Reference without Using an Op-amp

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【作者】 杨帆邓婉玲黄君凯

【Author】 YANG Fan DENG Wanling HUANG Junkai(Department of Electronic Engineering,Jinan University,Guangzhou,510632,CHN)

【机构】 暨南大学信息科学技术学院电子工程系

【摘要】 采用无运放电路结构,通过改进反馈环路和调整电阻的方法,设计了一种低电压低功耗的带隙基准电压源。相比传统有运放结构,电路芯片面积更小和具有更低的电流损耗,并且大部分电流损耗都用于产生输出电压。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺对所研制带隙基准电压源进行流片,测试结果表明,当电源电压大于0.85 V时,能够产生稳定的输出电压;在1 V电源电压下,-20~100°C温度范围内的温度系数为16.7×10-6/°C;当电源电压在0.86~2 V之间变化时,输出电压的偏差为1.46 mV,电源调整率为1.28 mV/V;1 V电源电压下电流损耗仅为2.4μA。

【Abstract】 A low voltage,low power bandgap reference was designed.The proposed structure was designed without using an op-amp.By improving the feedback loop and increasing the resistance,the design can reduce power consumption and chip area.Most of the total current consumption is used for generating the output voltage.Designed with the CSMC 0.5 μm model,the measurement results show that stable bandgap reference voltage can be generated when the power supply is higher than 0.85 V.The circuit has an accuracy of 16.7×10-6/°C at-20~100 °C with 1 V power supply and a line regulation of 1.28 mV/V.When the power supply changes from 0.86 V to 2 V,the deviation of output voltage is 1.46 mV.Its total current consumption is only 2.4 μA with l V voltage supply.

【基金】 广东省科技计划资助项目(2008B010200011);广东省教育部产学研结合资助项目(2009B090300287)
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of SSE , 编辑部邮箱 ,2011年02期
  • 【分类号】TN431.1
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】535
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