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磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究

Growth Process of Preferential Orientation of AlN Thin Films by Magnetron Reactive Sputtering

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【作者】 张小玲孙晓冬张凯胡光胡靖华顾豪爽

【Author】 ZHANG Xiao-ling1,SUN Xiao-dong1,ZHANG Kai2,HU Guang2,HU Jing-hua1,GU Hao-shuang2(1.School of Sciences,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070,China;2.The Key Lab of Ferro & Piezoelectric Materials and Devices of Hubei Province,Hubei University,Wuhan 430062,China)

【机构】 武汉理工大学理学院湖北大学铁电压电材料重点实验室

【摘要】 氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度,是薄膜体声波谐振器/滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对AlN薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究,通过对AlN薄膜的取向性分析及其与工艺条件的比较,优化了取向性AlN薄膜的生长工艺条件,制备出了高取向和高致密的AlN薄膜。

【Abstract】 Orientation of AlN thin film is very important to its piezoelectric characteristic and acoustic wave velocity,it is one of the most important key factors in film bulk acoustic wave resonator/filter fabrication.This work investigates reactive magnetron sputtering deposition of AlN thin film,by comparing orientation of deposited AlN thin films under different deposition conditions,the fabrication recipe is refined,and a condensed high orientation AlN film is made.

【关键词】 氮化铝取向性反应磁控溅射
【Key words】 AlNorientationreactive magnetron sputtering
【基金】 武汉理工大学校基金(XJJ2004112)
  • 【文献出处】 武汉理工大学学报 ,Journal of Wuhan University of Technology , 编辑部邮箱 ,2009年12期
  • 【分类号】TB383.2
  • 【被引频次】6
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