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硅PIN光电二极管γ电离脉冲辐射的数值模拟

Simulation on Photocurrent of Si PIN Photodiode Induced by γ Ionization Pulse Radiation

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【作者】 王祖军； 刘以农； 陈伟； 唐本奇； 黄绍艳； 刘敏波； 肖志刚； 张勇；

【Author】 WANG Zu-jun1,2,LIU Yi-nong1,CHEN Wei2,TANG Ben-qi2,HUANG Shao-yan2,LIU Min-bo2,XIAO Zhi-gang2,ZHANG Yong2(1. Key Laboratory of Particle & Radiation Imaging of Ministry of Education,Department of Engineering Physics,Tsinghua University,Beijing 100084,CHN;2. Northwest Institute of Nuclear Technology,Xi’an 710024,CHN)

【机构】 清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室； 西北核技术研究所；

【摘要】 分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理。建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算。得出了γ电离脉冲辐射剂量率在100～109Gy(Si)/s范围内,诱发硅PIN光电二极管光电流变化的初步规律。对比了辐射效应数值模拟结果与国外相关文献给出的辐照实验结果。

【Abstract】 The mechanism of photocurrent of Si PIN photodiode induced by γ ionization pulse radiation is analyzed. The device physics and γ ionization pulse radiation models are established to simulate photocurrent of Si PIN photodiode by MEDICI software. The primary regularity of photocurrent of Si PIN photodiode is concluded by γ ionization pulse radiation with the dose rate of 100～109Gy(Si)/s. The Simulation results are in agreement with the experimental results given in correlative literatures.

【关键词】 PIN光电二极管； 电离脉冲辐射； 光电流； 数值模拟；
【Key words】 PIN photodiode； ionization pulse radiation； photocurrent； numerical simulation；
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2009年05期
  • 【分类号】TN312
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】221
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