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S掺杂CuInSe2导致的体积变化对其禁带宽度的影响（英文）

Impact of Lattice Volume on the Band Gap Broadening of Isovalent S-Doped CuInSe2

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【作者】 陈翔； 赵宇军； 姚若河； 何巨龙；

【Author】 Chen Xiang1,Zhao Yujun1,Yao Ruohe1,and He Julong2(1 Department of Physics,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China)(2 Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology,Yanshan University,Qinhuangdao 066004,China)

【机构】 华南理工大学物理科学与技术学院； 燕山大学材料科学与工程技术学院；

【摘要】 运用第一性原理方法研究了CuInSe2和不同量的S掺杂CuInSe2所形成的化合物的电子结构.理论计算表明,S掺杂导致CuInSe2禁带宽度增大,且通过对其电子结构和键长的分析,发现因S掺杂浓度的增加而导致的CuInSeS化合物晶格体积减小对其禁带宽度的增加有重要的影响.

【Abstract】 The electronic structure of pure and S-doped chalcopyrite CuInSe2 is investigated using a first-principles pseudopotential method in the generalized gradient approximation.The calculation indicates that the band gap of CuInSe2 broadens as S-doping concentration increases.We find that the decreased lattice volume due to isovalent S-doping in CuInSe2 has a significant impact on the band gap broadening phenomena.This physical insight is further discussed with the study of the electronic structure and bond length changes.

【关键词】 第一性原理； CuInSe2； 禁带宽度；
【Key words】 first-principles calculation； CuInSe2； band gap broadening；
【基金】 华南理工大学高性能计算中心资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2008年10期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】8
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