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一种用于便携式射频识别阅读器的CMOS功率放大器(英文)

A CMOS Power Amplifier with 100% and 18% Modulation Depth for Mobile RFID Readers

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【作者】 高同强； 张春； 池保勇； 王志华；

【Author】 Gao Tongqiang1,Zhang Chun2,Chi Baoyong2,and Wang Zhihua2(1 Department of Electronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China)(2 Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China)

【机构】 清华大学电子工程系； 清华大学微电子学研究所； 清华大学微电子学研究所 北京100084； 北京100084；

【摘要】 针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B) ,提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构,以实现发射信号的OOK调制.采用0.18μm CMOS工艺实现的这种高效率、高度集成的无线发射机前端由射频信号调制器、E类功率放大器以及相应的逻辑控制单元组成,其中的功率放大器的小信号增益约为23dB,其1dB压缩点输出功率为17.6dBm,最大输出功率为19.0dBm,而最大功率增加效率为35.4%.整个发射机的输出信号满足相应协议的特定要求,可以实现不同调制深度(18%和100%)的射频信号输出.

【Abstract】 Aiming at the specific protocol of RFID technology,a 915MHz CMOS transmitter front-end for OOK modulation is implemented in a 0.18μm CMOS process.The transmitter incorporates a class-E power amplifier(PA),a modulator,and a control logic unit.The direct-conversion architecture minimizes the required on-and-off-chip components and provides a low-cost and efficient solution.A novel structure is proposed to provide the modulation depth of 100% and 18%,respectively.The PA presents an output 1dB power of 17.6dBm while maintaining a maximum PAE of 35.4%.

【关键词】 CMOS； 功率放大器； 射频识别； 发射机； 调制深度；
【Key words】 CMOS； power amplifier； RFID； transmitter； modulation depth；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2008年06期
  • 【分类号】TN722.75
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】253
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