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一种集成三轴加速度、压力、温度的硅微传感器

Monolithic silicon multi-sensor for three-axis accelerometer pressure and temperature

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【作者】 徐敬波赵玉龙蒋庄德孙剑

【Author】 Xu Jingbo,Zhao Yulong,Jiang Zhuangde,Sun Jian(State Key Lab of Mechanical Manufacturing System,Institute of Precision Engineering,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China)

【机构】 机械制造系统工程国家重点实验室西安交通大学精密工程研究所机械制造系统工程国家重点实验室西安交通大学精密工程研究所 西安710049西安710049

【摘要】 针对恶劣环境和严格空间体积限制条件下的多参数测量问题,利用绝缘体上硅(SOI)材料,采用微型机械电子系统(MEMS)技术,研制了一种可以同时测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应。结合芯片中各传感器的工作原理,用有限元方法对设计的结构进行了仿真,确定集成传感器的电阻分布和结构参数。根据确定的集成传感器结构,制定了相应的制备工艺步骤。最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果。

【Abstract】 A monolithic silicon multi-sensor for use in harsh environment is presented in this paper.This monolithic multi-sensor is fabricated with SOI wafer,which consists of a three-axis piezoresistive accelerometer,a piezoresistive absolute pressure sensor and a silicon thermistor temperature sensor.The designed structures of the multi-sensor are simulated by FEM(finite-element method).The simulation results for the multi-sensor are utilized to determine the position of piezoresistor and the size of the structures.The fabricating process of the monolithic multi-sensor is described,which uses bulk-micromachining technology and silicon-on-glass anodic bonding technology.At last the measurement results of the multi-sensor are shown.

【关键词】 集成传感器SOIMEMS
【Key words】 monolithic multi-sensorSOIMEMS
【基金】 国家自然科学基金(50535030,50475085);国家重点基础研究发展规划(2004CB619302);教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-05-0842)资助项目
  • 【文献出处】 仪器仪表学报 ,Chinese Journal of Scientific Instrument , 编辑部邮箱 ,2007年08期
  • 【分类号】TP212.1
  • 【被引频次】13
  • 【下载频次】747
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