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助熔剂法生长GaPO4晶体

Flux Growth of GaPO4 Crystal

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【作者】 李静； 梁曦敏； 徐国纲； 赵洪阳； 王继扬；

【Author】 LI Jing,LIANG Xi-min,XU Guo-gang,ZHAO Hong-yang,WANG Ji-yang (The State Key Lab.of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,China)

【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室； 山东大学晶体材料国家重点实验室 山东济南250100； 山东济南250100；

【摘要】 采用助熔剂法生长了GaPO4晶体。热重-差热(TG-DSC)分析得到晶体的熔点为1 070℃,采用紫外-可见分光光度计测量了晶体的室温紫外-近红外透过谱,采用红外光谱分析仪测量了晶体的红外透过谱。结果表明,GaPO4晶体透光波段很宽,采用助熔剂法生长晶体有效地抑制了晶体中OH-基团的产生。

【Abstract】 Single crystal of GaPO4 has been grown by the flux method.Differential thermal analysis experiment show the melting point of the crystal is 1 070 ℃.The transmittance spectrum and infrared transmittance spectrum of GaPO4 crystal are measured at room temperature.The results show that: the band of transmittance is very wide,the adsorption of OH-was control effectively.

【关键词】 助熔剂法； GaPO4； 光谱性质；
【Key words】 flux method； GaPO4； optical properties；
【基金】 国家自然科学基金资助项目(50323006);山东省优秀中青年奖励基金资助项目(2006BS04023)
  • 【文献出处】 压电与声光 ,Piezoelectrics & Acoustooptics , 编辑部邮箱 ,2007年06期
  • 【分类号】O782
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】223
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