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适用于智能功率IC的700v Double-Resurf Ldmos研究

The design of 700v Double- Resurf Ldmos for SPIC

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【作者】 王书凯； 程东方； 徐志平； 沈文星；

【Author】 (Microelectronic R&D Center, Shanghai University, Shanghai 200072, P. R. China) Wang Shu- Kai Cheng Dong- Fang Xu Zhi- Ping Shen Wen- Xing

【机构】 上海大学微电子中心； 上海大学微电子中心；

【摘要】 本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resurf Ldmos。该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板。通过优化工艺参数,用Medici仿真的最高耐压可以达到800v,导通电阻为16Ω,可以广泛应用于各种功率控制电路。

【Abstract】 The paper uses TCAD tools of Synopsys- TWB,virtual FAB, to design a 700v Double- Resurf Ldmos for SPIC(Smart Power IC). The HV- Ldmos’process is completely compatible with standard CMOS process ,only needs three additional masks. By optimizing the process parameters, the break voltage of the Ldmos can reach 800v, While the on- resistance is 16Ω. So it can be used in vari- ous SPIC.

【关键词】 双减少表面场； 横向双扩散MOS晶体管； 计算机辅助设计技术；
【Key words】 Double- Resurf； Ldmos； TCAD；
【基金】 上海科委国际合作基金资助(055207041)
  • 【文献出处】 微计算机信息 ,Microcomputer Information , 编辑部邮箱 ,2007年23期
  • 【分类号】TN492
  • 【被引频次】6
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