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K荧光辐射强度与管电压关系实验研究

Experiment Research on Relationship Between Radiation Intensity and Voltage of K-fluorescent in Ag Secondary Target

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【作者】 闻婷婷； 谭大刚；

【Author】 WEN Ting-ting,TAN Da-gang(College of Physics Science and Technology,Shenyang Normal University,Shenyang 110034,China)

【机构】 沈阳师范大学物理科学与技术学院； 沈阳师范大学物理科学与技术学院 辽宁沈阳110034； 辽宁沈阳110034；

【摘要】 利用反射式阳极产生K荧光的装置,用Ag作为次级靶进行测量,得出不同电压下的K荧光光子数与管电压之间的关系,拟合出K荧光辐射强度的公式.

【Abstract】 The relationship between K-fluorescent photons and tube voltage is studied by using the reflection anode tube devices in Ag secondary target.A new K-fluorescent X-ray radiation intensity formula is refined.

【关键词】 K荧光X射线； 辐射强度； 次级靶；
【Key words】 K-fluorescent X-ray； radiation intensity； secondary target；
【基金】 辽宁省教育厅高等学校科技基金资助项目(202113192)
  • 【文献出处】 沈阳师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Shenyang Normal University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2007年03期
  • 【分类号】O434.1
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】38
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