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Sol-gel法制备Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜及其性能

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【作者】 郭冬云； 李美亚； 裴玲； 于本方； 吴庚柱； 赵兴中； 王耘波； 于军；

【机构】 武汉大学物理科学与技术学院； 华中科技大学电子科学与技术系； 华中科技大学电子科学与技术系 武汉430072； 武汉430072； 武汉430074；

【摘要】 采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)薄膜.制备的BLT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,而且表面平整致密.对700℃退火处理的BLT薄膜进行了铁电性能、疲劳特性和漏电流测试:在测试电压为10V时,剩余极化值2Pr大约是18.6μC/cm2,矫顽电压2Vc大约为4.1V;经过1×1010次极化反转后,剩余极化值下降了大约10%;漏电流测试显示制备的BLT薄膜具有良好的绝缘性能.室温下,在测试频率1kHz时,薄膜的介电常数为176,介电损耗为0.046.

【关键词】 Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜； Sol-gel法； 铁电性能； 疲劳特性； 漏电流；
【基金】 湖北省自然科学基金资助项目(批准号:2003ABA061,2004ABA082)
  • 【文献出处】 中国科学(E辑:技术科学) ,Science in China(Series E:Technological Sciences) , 编辑部邮箱 ,2007年01期
  • 【分类号】TB383.2
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】159
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