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NDRHBT及其构成的单-双稳转换逻辑单元

The NDRHBT and Its Monostable-Bistable Transition Logic Element

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【作者】 郭维廉； 关薇； 牛萍娟； 张世林； 齐海涛； 陈乃金； 王伟；

【Author】 GUO Weilian1,2 GUAN Wei1 NIU Pinjuan1 ZHANG Shilin2 QI Haitao2CHEN Naijin3 WANG Wei1(1 School of Information and Communication Eng.Tianjin Polytechnic University,Tianjin,300160,CHN)(2 School of Electronic Information Eng.Tianjin University,Tianjin,300072,CHN)(3 Dep.of Computer and Inf.Eng.Anhui Institute of Engineering and Technology,Wuhu,Anhui,241000,CHN)

【机构】 天津工业大学信息与通信工程学院； 天津大学电子信息工程学院； 安徽工程科技学院计算机与信息工程系； 天津工业大学信息与通信工程学院 天津； 300160 天津大学电子信息工程学院； 天津； 300072； 300160； 安徽； 芜湖； 241000； 300160；

【摘要】 设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)。经过测试,证实其具有与GRTD、RTD/HEMT构成的MOBILE相类似的逻辑功能。

【Abstract】 In this paper,the InGaP/GaAs/InGaP ultrathin base(8 nm) NDRHBT has been fabricated.By using NDRHBT,a novel monostable-bistable transition logic element(MOBILE) has been formed.From the experimental measurement,it is demonstrated that the MOBILE formed by NDRHBT has the similar logic functions to that formed by GRTD or RTD/HEMT element.

【关键词】 异质结晶体管； 负阻器件； 单-双稳转换逻辑单元；
【Key words】 heterojunction bipolar transistor(HBT)； NDR devices； monostable-bistable transition logic element(MOBILE)；
【基金】 国家重点基础研究基金(973)2002CB311905;天津市应用基础研究重点基金(043800811)资助项目
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of SSE Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2007年02期
  • 【分类号】TN322.8
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】50
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