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不同生长方向的La0.7Sr0.3MnO3薄膜结构及性能研究

MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF La0.7Sr0.3MnO3 FILMS DEPOSITED ON LaAlO3 （100）,（110） AND （111） SUBSTRATES

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【作者】 杜永胜； 张红霞； 张雪峰； 于敦波； 严辉；

【Author】 Du Yong-sheng1 ZHong Hong-xia1 ZHang Xue-feng1 Yu Dun-bo2 Yan Hui31College of Science, Inner Mongolia University of Science &Technology, Baotou 014010;2 Grirem Advanced Materials Co., Ltd, Beijing 100088;3Laboratory of Thin Film Materials, Beijing University of Technology, Beijing 100022( 1 January,2007; revised manuscript received 5 February,2007)

【机构】 内蒙古科技大学理学院； 北京有色金属研究总院； 北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室 包头014010； 包头014010； 北京100088； 北京100022；

【摘要】 利用磁控溅射方法,在(100),(110)和(111)LaAlO3(LAO)衬底上制备得到了不同生长方向的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜并对其结构及磁电学性能进行了系统研究.结果表明:LSMO薄膜完全按LAO衬底取向生长;(111)生长方向的薄膜由于晶格畸变程度最小,磁畴方向能较好的保持一致性,从而具有最大的磁饱和强度值;高的磁有序度减弱了巡游电子eg的自旋无序相关散射,有效降低了电阻.但外加磁场后电阻变化不明显,最大磁电阻值只有5.1%.

【Abstract】 We have conducted a comparative study of magnetic properties and electronic transport in La0.7Sr0.3MnO3(LSMO) films, which were deposited on (100), (110) and (111) LaAlO3 (LAO) substrates using RF magnetron sputtering. The results shows that the deposited LSMO films are in epitaxial grown. It is found that the (111) oriented LSMO film has high saturation magnetization and low resistance compared with the (100) and (110) oriented LSMO films. We can attribute this results as the little strain in the (111) LSMO films. However, the magnetoresistance in (111) oriented LSMO film is very small and the maximum value is only 5.1%.

【关键词】 LSMO薄膜； 应变； eg电子； 磁电阻；
【Key words】 La0.7Sr0.3MnO3； strain； itinerant eg electrons； magnetoresistance；
【基金】 内蒙古科技大学科研基金(项目编号:KJ200618);包头市科学技术局重大项目(编号:2004Z007);北京市自然科学基金重点项目(编号:G2021003);科技部重大基础研究前期研究专项项目(编号:G2002CCC01300)资助的课题~~
  • 【文献出处】 低温物理学报 ,Chinese Journal of Low Temperature Physics , 编辑部邮箱 ,2007年03期
  • 【分类号】O484.1
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】203
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