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ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

Research Progress in ZnO-based Semiconductor Thin Film

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【作者】 温晓莉陈长乐陈钊韩立安高国棉

【Author】 WEN Xiaoli,CHEN Changle,CHEN Zhao,HAN Li’an,GAO Guomian(School of Science,Northwestern Polytechnical University,Xi’an 710072)

【机构】 西北工业大学理学院应用物理系西北工业大学理学院应用物理系 西安710072西安710072

【摘要】 介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展。详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨。

【Abstract】 In this review,the elemental property and preparation method of ZnO-based semiconductor thin film are introduced,and research progress in photoluminescence and magnetic property is researched.Photoluminescence mechanisms,p-type doping,p-n junction and diluted magnetic property of ZnO-based semiconductor thin film are discussed in detail.At the same time,the latest developments and obstacles are analyzed and discussed.

【关键词】 ZnO薄膜P型掺杂p-n结磁性能
【Key words】 ZnO thin filmp-type dopingp-n junctionmagnetic property
【基金】 国家自然科学基金重点项目(批准号:50331040)
  • 【文献出处】 材料导报 ,Materials Review , 编辑部邮箱 ,2007年S1期
  • 【分类号】TB383.2
  • 【被引频次】20
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