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基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文)

InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Base μ-Bridge and Emitter Air-Bridge

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【作者】 于进勇； 刘新宇； 苏树兵； 王润梅； 徐安怀； 齐鸣；

【Author】 Yu Jinyong1,Liu Xinyu 1,,Su Shubing1,Wang Runmei1,Xu Anhuai2,and Qi Ming2(1 Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China)(2 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China)

【机构】 中国科学院微电子研究所； 中国科学院上海微系统与信息技术研究所； 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 北京100029； 北京100029； 上海200050；

【摘要】 报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2μm×12.5μm的InPHBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.

【Abstract】 An InP-based single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)with base μ-bridge and emitter air-bridge is reported.Because those bridges reduce parasitic capacitance greatly,the cutoff frequency f_T of the 2μm×12.5μm InP SHBT without de-embedding reaches 178GHz.It is critical in high-speed low power applications,such as OEIC receivers and analog-to-digital converters.

【关键词】 InP； 异质结双极型晶体管； 微空气桥； 空气桥； 自对准；
【Key words】 InP； HBT； μ-bridge； air-bridge； self-aligning；
【基金】 国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院创新基金(批准号:KGCX2-107)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2007年02期
  • 【分类号】TN322.8
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】147
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