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原子层沉积技术及其在半导体中的应用

Atomic layer deposition and its applications in semiconductor

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【作者】 申灿； 刘雄英； 黄光周；

【Author】 SHEN Can,LIU Xiong-ying,HUANG Guang-zhou(College of Electronic and Information Engineering,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China)

【机构】 华南理工大学电子与信息学院； 华南理工大学电子与信息学院 广东广州510640； 广东广州510640；

【摘要】 首先简述原子层沉积(ALD)技术的发展背景,通过分析ALD的互补性和自限制性等工艺基础,介绍了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势,着重列举ALD在半导体互连技术、高k电介质等方面的应用。同时指出了目前ALD工艺中存在的主要问题。

【Abstract】 The miniaturization of semiconductor devices accelerates the development of atomic layer deposition(ALD) technology.Reviews the advantages of ALD in uniformity and conformality by analyzing its complementarity and self-limitation.ALD has many potential applications in semiconductor such as interconnection,gate dielectric,capacitors etc.But,some problems are found to be solved in ALD technology at present.

【关键词】 原子层沉积； 前驱体； 半导体；
【Key words】 atomic layer deposition； precursor； semiconductor；
【基金】 广东省自然科学基金(B06-6050600);华南理工大学自然科学基金(B605E5050410);广东省重点科技攻关课题(2KB0240G)
  • 【文献出处】 真空 ,Vacuum , 编辑部邮箱 ,2006年04期
  • 【分类号】TN304.05
  • 【被引频次】43
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