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三栅MOSFET阈值电压模型

Threshold Voltage Model for Tri-Gate MOSFET’s

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【作者】 刘建； 石新智； 林海； 王高峰；

【Author】 LIU Jian~(1,2),SHI Xin-zhi~2,LIN Hai~2,WANG Gao-feng~(1,2)(1.School of Physics and Technology,Wuhan University,Wuhan,Hubei 430072,P.R.China;2.Institute of Microelectronics and Information Technology,Wuhan University,Wuhan,Hubei 430072,P.R.China)

【机构】 武汉大学物理科学与技术学院； 武汉大学微电子与信息技术研究院； 武汉大学物理科学与技术学院 湖北武汉430072； 湖北武汉430072；

【摘要】 根据三栅(TG)MOSFET二维数值模拟的结果,分析了TG MOSFET中的电势分布,得出了在硅体与掩埋层接触面的中心线上的电势随栅压变化的关系;通过数学推导,给出了基于物理模型的阈值电压的解析表达式;并由此讨论了多晶硅栅掺杂浓度、硅体中掺杂浓度、硅体的宽度和高度以及栅氧化层厚度对阈值电压的影响;得出在TG MOSFET器件的阈值电压设计时,应主要考虑多晶硅栅掺杂浓度、硅体中掺杂浓度和硅体的宽度等参数的结论。

【Abstract】 The electric potential distribution in Si body of Tri-Gate MOSFET was obtained by 2D numerical simulation,and an analytic model of threshold voltage was established.Threshold voltage calculated according to the model is matched with results of numerical simulation.Effects of polysilicon gate doping concentration,Si body doping concentration,the width and height of Si body and the gate oxide thickness on threshold voltage were investigated.It is concluded that Si body doping concentration,gate doping concentration and the width of Si body are the most important parameters for designing threshold voltage.

【关键词】 三栅MOSFET； 阈值电压； 数值模拟；
【Key words】 Tri-Gate MOSFET； Threshold voltage； Numerical simulation；
【基金】 国家自然科学基金重大项目(90307017);国家自然科学基金资助项目(60444004)
  • 【文献出处】 微电子学 ,Microelectronics , 编辑部邮箱 ,2006年04期
  • 【分类号】TN386
  • 【下载频次】200
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