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SiGe/Si HBT高频噪声特性研究

High-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT’s

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【作者】 张万荣； 邱建军； 金冬月； 张静； 张正元； 刘道广； 王健安； 徐学良； 陈光炳；

【Author】 ZHANG Wan-rong~1,QIU Jian-jun~1,JIN Dong-yue~1,ZHANG Jing~2,ZHANG Zheng-yuan~2,LIU Dao-guang~2,WANG Jian-an~2,XU Xue-liang~2,CHEN Guang-bing~2(1.School of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing,100022,P.R.China;2.National Laboratory of Analog Integrated Circuits,Chongqing,400060,P.R.China)

【机构】 北京工业大学电子信息与控制工程学院； 模拟集成电路国家重点实验室； 模拟集成电路国家重点实验室 北京100022； 北京100022； 重庆400060；

【摘要】 基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。

【Abstract】 Based on Y parameters of device,high-frequency noise characteristics of Si/Si1-xGex HBT’s is simulated.As the Ge fraction increases,the high-frequency minimum noise figure of Si/Si1-xGex HBT decreases.The results show that Si/SiGe HBTs have excellent high-frequency noise characteristics,compared with Si BJT.

【关键词】 SiGe； 异质结晶体管； 高频噪声；
【Key words】 SiGe； HBT； High-frequency noise；
【基金】 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301)
  • 【文献出处】 微电子学 ,Microelectronics , 编辑部邮箱 ,2006年01期
  • 【分类号】TN322.8
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】163
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