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CMP中接触与流动关系的分析

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【作者】 张朝辉； 杜永平； 雒建斌；

【机构】 北京交通大学机电学院； 清华大学摩擦学国家重点实验室 北京100044； 北京100044； 北京100084；

【摘要】 分别考虑抛光垫基体和粗糙峰变形建立化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing/planarization,CMP)的一维两层接触模型和抛光液流动模型,分析了CMP中接触压力和流动的关系,利用数值方法模拟了抛光垫基体和粗糙峰变形情况,以及接触压力和流体压力的分布情况.分析表明在晶片入口区附近形成了发散间隙,从而抛光液流体出现负压,在晶片边缘形成了高应力集中导致的过度抛光,解释了CMP的这两个基本特征.

【关键词】 化学机械抛光； 接触压力； 流体负压；
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,2006年16期
  • 【分类号】TN405
  • 【被引频次】18
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