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制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

GIANT MAGNETO-IMPEDANCE EFFECTS OF AS DEPOSITED FeZrBNi SANDWICHED FILMS

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【作者】 袁慧敏； 姜山； 王文静； 颜世申； 萧淑琴；

【Author】 YUAN Huimin~1 JIANG Shan~1 WANG Wenjing~1 YAN Shishen~1 XIAO Shuqin~(1,2) 1)School of Physics and Microelectronics,Shandong University,Jinan 250100 2)State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100

【机构】 山东大学物理与微电子学院； 山东大学物理与微电子学院 济南 250100； 济南 250100； 济南 250100 山东大学晶体材料国家重点实验室；

【摘要】 用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/ReZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量．结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8MHz；在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%．这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能．同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系．

【Abstract】 Giant magneto-impedance (GMI) effects of FeZrBNi/Ag/FeZrBNi sandwiched films prepared by radio frequency sputtering on the substrate of single crystal Si have been measured.The maximum GMI ratios are 18% and 31% in longitudinal and transverse fields at 7 MHz and 8 MHz, respectively.Corresponding,the maximum effective susceptibility ratios are 153% (at 7 MHz) and 5117% (at 8 MHz) for longitudinal and transverse cases,respectively,indicating that the as-deposited FeZrBNi/Ag/FeZrBNi films have good soft magnetic properties and GMI effect.

【关键词】 巨磁阻抗效应； FeZrBNi三层膜； 掺杂；
【Key words】 giant magneto-impedance (GMI) effect； FeZrBNi sandwiched film； doping；
【基金】 国家重点基础研究发展规划资助项目G2001CB610603
  • 【文献出处】 金属学报 ,Acta Metallurgica Sinica , 编辑部邮箱 ,2006年09期
  • 【分类号】O482.51
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】98
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