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反馈式ECL记忆门的记忆性能和移位计数器

Memory Property of a Feedback ECL Memory-Gate and ECL Shifting Counter

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【作者】 刘莹； 方倩； 方振贤；

【Author】 Liu Ying~ 1, ,Fang Qian~2,and Fang Zhenxian~1(1 College of Electronic Engineering,Heilongjiang University,Harbin 150080,China) (2 College of Electronic and Information Engineering,Tongji University,Shanghai 201804,China)

【机构】 黑龙江大学电子工程学院； 同济大学电子与信息工程学院； 黑龙江大学电子工程学院 哈尔滨150080； 上海201804； 哈尔滨150080；

【摘要】 经过数学论证表明,改进反馈式ECL(MFECL)门可在二个状态中任一态保持稳定,所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器.提出了一种由两个ECL记忆门组成的ECL主从D触发器.在上述理论基础上,利用此主从D触发器设计出5进制移位型计数器.经过计算机模拟上述电路,验证了理论和电路的正确性.

【Abstract】 By mathematical proof,we identify a modified feedback emitter-coupled logic (MFECL) gate with an ECL memory-gate or D latch,because the MFECL gate is able to keep steady either of two states.Then we present a D master-slave flip-flop that consists of two ECL memory-gates.On the basis of the above theory,a five-carry shifting counter is designed using such D master-slave flip-flops.The above theory and circuits are verified through computer simulation.

【关键词】 反馈式ECL记忆门的记忆性能； D锁存器； 主从D触发器； 5进制移位型计数器；
【Key words】 memory property of feedback ECL memory-gate； D latch； D master-slave flip-flop； five-carry shifting counter；
【基金】 黑龙江省高校重点实验室基金(批准号:ZDDZ2006-10);黑龙江省科技攻关计划(批准号:GC02A121)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年12期
  • 【分类号】TN79
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】69
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