节点文献

高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法

Fabrication of a High Quality Etching Mask for Two-Dimensional Photonic Crystal Structures

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 杜伟； 许兴胜； 韩伟华； 王春霞； 张杨； 杨富华； 陈弘达；

【Author】 Du Wei 1, ,Xu Xingsheng1,Han Weihua2,Wang Chunxia1,Zhang Yang2, Yang Fuhua2,and Chen Hongda1(1 Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China) (2 Research Center of Semiconductor Integrated Technology,Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室； 中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心； 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 北京100083； 北京100083；

【摘要】 结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.

【Abstract】 The influence of different fabrication parameters on polymethyl methacrylate (PMMA) etching mask for two- dimensional photonic crystal structures are studied.The results show that high quality PMMA etching mask can be realized by optimizing parameters such as PMMA thickness,electron beam exposure dose,developing time,and fixation time.

【关键词】 光子晶体； 电子束曝光； PMMA掩膜；
【Key words】 photonic crystal； electron-beam lithography； PMMA mask；
【基金】 国家自然科学基金资助项目(批准号:60345008,60377011,60537010)~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年09期
  • 【分类号】TN305.7
  • 【被引频次】10
  • 【下载频次】254
打印本页
节点文献中：