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SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性

Total Dose Gamma Irradiation Effects and Annealing Characteristics of a SiGe HBT

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【作者】 牛振红； 郭旗； 任迪远； 刘刚； 高嵩；

【Author】 Niu Zhenhong 1,2, ,Guo Qi1,Ren Diyuan1,Liu Gang 1,2 ,and Gao Song 1,2 (1 Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences,Urumqi 830011,China) (2 Graduate School of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China)

【机构】 中国科学院新疆理化技术研究所； 中国科学院研究生院 北京100039； 中国科学院研究生院； 北京100039； 乌鲁木齐830011；

【摘要】 研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT)60Coγ射线100Gy(Si)~10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照后基极电流(Ib)明显增大,而集电极电流(Ic)基本不变,表明Ib的增加是电流增益退化的主要原因.退火结果表现为电流增益(β=Ic/Ib)继续衰降,表明SiGeHBT具有“后损伤”效应.对其机理进行了探讨,结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引起的.

【Abstract】 The total-dose radiation effects and annealing characteristics of a SiGe HBT are studied.It is found that the degradation of the current gain is dominated by the increase of I_b.The mechanisms behind the post-damage effects of total-dose radiation are discussed.The chief factor that causes post-damage effects is the increase in the interface states.

【关键词】 SiGe异质结双极晶体管； 电离辐射； 退火； 后损伤效应；
【Key words】 SiGe HBT； ionizing radiation； annealing； post-damage effect；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年09期
  • 【分类号】TN323.4
  • 【被引频次】10
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