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用于降低CMOS集成电路中晶体管跨导标准差的偏置电流补偿电路(英文)

Bias Current Compensation Method with 41.4% Standard Deviation Reduction to MOSFET Transconductance in CMOS Circuits

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【作者】 冒小建； 杨华中； 汪蕙；

【Author】 Mao Xiaojian,Yang Huazhong,and Wang Hui(Department of Electronic Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China)

【机构】 清华大学电子工程系； 清华大学电子工程系 北京 100084； 北京 100084；

【摘要】 介绍一种简单而有效的提高集成电路稳定性的电路补偿方法.当电路制造过程中的工艺参数、工作电压或工作温度发生变化时,根据仿真结果,该方法可以使MOS晶体管跨导的标准差比未经补偿的电路降低41·4 %.这种电路可以用于CMOS LC振荡器中.

【Abstract】 A simple and successful method for the stability enhancement of integrated circuits is presented.When the process parameters,temperature,and supply voltage are changed,according to the simulation results,this method yields a standard deviation of the transconductance of MOSFETs that is 41.4% less than in the uncompensated case.This method can be used in CMOS LC oscillator design.

【关键词】 CMOS； 跨导； 集成电路； 晶体管；
【Key words】 CMOS； transconductance； integrated circuits； transistor；
【基金】 国家自然科学基金资助项目(批准号:90407011,60025101,90207001,90307016)~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年05期
  • 【分类号】TN432
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】146
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