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纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用

Photoluminescence and Application of Nonlinear Optical Propertyof nc-Si-SiO2 Films

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【作者】 郭亨群； 林赏心； 王启明；

【Author】 Guo Hengqun 1, ,Lin Shangxin1,and Wang Qiming2(1 Huaqiao University,Quanzhou 362021,China)(2 Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 华侨大学； 中国科学院半导体研究所 泉州362021； 泉州362021； 北京100083；

【摘要】 采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米Si镶嵌Si O2薄膜,在室温下观察到光致发光现象,峰值分别位于360,430和835nm,结合吸收谱、光致发光激发谱和X射线衍射分析讨论了发光机理.利用纳米Si镶嵌Si O2薄膜的非线性光学特性可作为可饱和吸收体,在Nd∶YAG激光器中实现被动调Q运转.

【Abstract】 nc-Si-SiO2 films are prepared by RF magnetron sputtering technique and thermal annealing.The photoluminescence （PL） spectra at room temperature have 3 luminescent band peaks at 360,430,and 835nm,respectively.The PL mechanism is discussed in combination with absorption measurement,PL excitation,and X-ray diffraction.Passive Q-switched operation of Nd∶YAG lasers is demonstrated with a nc-Si-SiO2 film as a saturable absorber.

【关键词】 磁控溅射； 纳米Si； 光致发光； 被动调Q；
【Key words】 magnetron sputtering； nanocrystalline silicon； photoluminescence； passive Q-switching；
【基金】 国家自然科学基金重点资助项目(批准号:60336010)~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年02期
  • 【分类号】O484.41
  • 【被引频次】22
  • 【下载频次】199
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