节点文献

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

Analysis of Plasma Etching Controlling Model

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 王巍； 叶甜春； 吴志刚； 田益祥；

【Author】 WANG Wei, YE Tian-chun, WU Zhi-gang, TIAN Yi-xiang ( College of Optoelectronics Engineering, CQUPT. Chongqing 400065, China: Institute of Microelectronics, CAS, Beijing 100029, China, UESTC, Electronic Engineering Institute: School of Management, Chengdu 610054, China)

【机构】 重庆邮电学院光电工程系； 中科院微电子研究所 北京 100029； 中科院微电子研究所； 电子科技大学电子工程学院； 电子科技大学管理学院； 重庆 400065； 北京 100029； 成都 610054；

【摘要】 讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离予体刻蚀工艺中的应用。结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性。

【Abstract】 The application of principal component analysis (PCA) and neural network method in controlling of plasma etching are discussed. The results show that PCA algorithm could compress the experiment data effectively, and the neural network algorithm manifests more predication accuracy than traditional on-line statistical process control (SPC).

【关键词】 等离子体刻蚀； 主因素分析法； 神经网络法；
【Key words】 plasma etching； principal component analysis (PCA) neural network；
【基金】 国家973项目(G200036504)
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2006年02期
  • 【分类号】TN305.7
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】404
打印本页
节点文献中：