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俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响

Effect of Auger Recombination on Detectivity of Homojunction InGaAs Detector

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【作者】 殷景志； 时宝； 李龙海； 王一丁； 杜国同； 缪国庆； 宋航； 蒋红； 金亿鑫；

【Author】 YIN Jing-zhi~1,SHI Bao~1,LI Long-hai~1,WANG Yi-ding~1,DU Guo-tong~1,MIAO Guo-qing~2,SONG Hang~2,JIANG Hong~2,JIN Yi-xin~2(1.College of Electronic Science and Engineering,Jilin University,Changchun 130023,CHN;2.Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130033,CHN)

【机构】 吉林大学电子科学与工程学院； 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所； 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 吉林长春130023； 吉林长春130023； 吉林长春130033；

【摘要】 通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率。

【Abstract】 By theoretical analysis on InGaAs material,lifetime caused by Auger recombination mechanism is calculated depending on the composition,temperature and carrier concentration.The calculated results show that the Auger recombination mechanism is suppressed by optimizing the material parameters and technologic condition,so that high detectivity could be obtained for InGaAs detector.

【关键词】 InGaAs探测器； 探测率； Auger复合；
【Key words】 InGaAs detector； detectivity； Auger recombirnation mechanism；
【基金】 中国博士后科学基金资助项目(2004035568);国家重点基金资助项目(50132020);国家自然科学基金资助项目(50372067,60477012)
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2006年02期
  • 【分类号】TN36
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】238
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