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STM“接触”式测量中的整流效应

Rectifying Effect in Contact Mode of STM

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【作者】 邱伟民； 严学俭； 李旭； 沈淼； 曾志刚； 张莉； 华中一；

【Author】 Qiu Weimin,Yan Xuejian~*,Li Xu,Shen Miao,Zeng Zhigang,Zhang Li and Hua Zhongyi(Department of Materials Science,Fudan University,Shanghai,200433,China)

【机构】 复旦大学材料科学系； 复旦大学材料科学系 上海200433； 上海200433教授； 上海200433； 上海200433；

【摘要】 在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行“接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应。这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。

【Abstract】 On I-V measurement of Ag-TCNQ thin film by Scanning Tunneling Microscope(STM) of contact mode,rectifying effect caused by Schottky barrier is found.It supplies a new design idea for application of organic compounds on electronics,so as to create new types of organic electronic devices.

【关键词】 STM； 接触模式； 整流效应； 有机电子器件；
【Key words】 STM； Contact mode； Rectifying effect； Organic electronic device；
  • 【文献出处】 真空科学与技术学报 ,Chinese Journal of Vacuum Science and Technology , 编辑部邮箱 ,2005年03期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】90
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