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一种高精度带隙基准源和过温保护电路

A High-Precision Bandgap Reference and Over-Temperature Protection Circuit

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【作者】 潘飞蹊； 俞铁刚； 郭超； 陈卫东；

【Author】 PAN Fei-xi~1, YU Tie-gang~1, GUO Chao~1, CHEN Wei-dong~2(1. New Device Lab, School of Microelec. & Sol. Sta. Elec., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu, Sichuan 610054; 2. Institute of Solid State Physics, Sichuan Normal University, Chengdu, Sichuan 610066, P. R. China)

【机构】 电子科技大学微电子与固体电子学院新器件室； 四川师范大学固体物理研究所 四川成都　610054； 四川成都　610054； 四川成都　610066；

【摘要】 设计了一种适用于P阱CMOS工艺的高精度带隙基准源及过温保护电路。基准源信号输出由两路电流相加实现:一路是正比于双极晶体管的发射极-基极电压的电流(IVBE),另一路是基准源内产生的正比于绝对温度的电流(IPTAT);同时,利用这两路电流的不同温度特性,通过直接电流比较的方法,简单地实现了高精度的过温保护电路。

【Abstract】 A high-precision bandgap reference with an over-temperature protection circuit is designed, which is suitable for P-well CMOS technology. The output of the reference voltage is determined by the sum of two currents: current proportional to the emitter-base voltage (VBE) of a bipolar transistor (IVBE), and current proportional to the absolute temperature (IPTAT). The high-precision over-temperature protection circuit is realized by making a direct comparison between the two branches of currents, which have different temperature characteristics.

【关键词】 带隙基准源； 过温保护； 电压-电流转换； 共栅共源结构；
【Key words】 Bandgap reference； Over-temperature protection； Voltage-current conversion； Cascode；
【基金】 国家自然科学基金资助项目(69836010)
  • 【文献出处】 微电子学 ,Microelectronics , 编辑部邮箱 ,2005年02期
  • 【分类号】TN431.1
  • 【被引频次】29
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