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GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究

The Study of InAsxSb1-x on GaSb Substrate Grown by LP-MOCVD

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【作者】 李晓婷； 王一丁； 汪韬； 殷景致； 王警卫； 赛小锋； 高鸿楷； 张志勇；

【Author】 Li Xiaoting~(1,2),Wang Yiding~3,Wang Tao~1,Yin Jingzhi~3,Wang Jinwei~1,Sai Xiaofeng~1,Gao Hongkai~1,Zhang Zhiyong~41 Xi′an Institute of Optics and Precision Mechanism,the Chinese Academy of Science,Xi′an 7100682 School of Science,Chang′an University,Xi′an 7100613 Department of electronics engineering,Jilin University,Changchun 1300234 Department of electronics Courses,Northwest University,Xi′an 710069

【机构】 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室； 吉林大学电子工程学院； 西北大学电子工程系 西安710068； 长安大学理学院； 西安710061； 长春130023； 西安710068； 西安710069；

【摘要】 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.

【Abstract】 InAsSb epitaxy had been obtained on(100) GaSb substrate by a home-made low pressure MOCVD system.The characteristic of InAsSb epitaxy was investigated by means of x-ray diffraction technique,optical microscopy and scanning electron microscopy(SEM),and electron microprobe analysis(SEM).And the dependence of surface morphology and solid composition of epitaxy on growth temperature,Ⅴ/Ⅲ ratio and buffer layer is studied.High quality mirror-like surfaces with a minimum lattice mismatch was obtained.

【关键词】 LP-MOCVD； GaSb； InAsSb； 生长温度；
【Key words】 LP-MOCVD； GaSb； InAsSb； Growth temperature；
【基金】 国家863计划(NO:2002AA313080);国家自然科学基金(NO:60378020)资助项目
  • 【文献出处】 光子学报 ,Acta Photonica Sinica , 编辑部邮箱 ,2005年09期
  • 【分类号】TN304;
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】120
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