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不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应

The Ionizing Radiation Respon ses of NPN Transistor and NMOSFET at Different Dose-rates

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【作者】 张华林； 任迪远； 陆妩； 崔帅；

【Author】 ZHANG Hualin 1,2 REN Diyuan 1 LU Wu1 CUI Shuai1 ( 1Xinjiang Institute of P hysics and Chemistry, the Chinese Academ y of Sciences, Urumqi, 830011, CHN) ( 2Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410076, CHN)

【机构】 中国科学院新疆理化技术所,中国科学院新疆理化技术所,中国科学院新疆理化技术所,中国科学院新疆理化技术所 乌鲁木齐,830011； 长沙理工大学,长沙,410076,乌鲁木齐,830011,乌鲁木齐,830011,乌鲁木齐,830011；

【摘要】 研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效应是时间相关效应 ,而非真正的剂量率效应。

【Abstract】 The ionizing radi ation responses of NPN bipolar transisto r and NMOSFET at different dose-rates ha ve been investigated. The results have s hown that the current gain degradation o f NPN transistor is larger at low dose-r ates than at high dose-rates, and the ef fect is a true dose rate effect, but the threshold voltage of NMOSFET has more s hift at high dose-rates, and it is a tim e dependent effect.

【关键词】 剂量率效应； NPN管； NMOS管； 增益； 阈电压；
【Key words】 dose-rate effect； NPN t ransistor； NMOSFET； current gain； thresh old voltage；
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2005年01期
  • 【分类号】TN324.3;TN386.
  • 【被引频次】4
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