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SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响

Effect of SOI Thickness on Parameters of RESURF LDMOS 

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【作者】 孙智林； 孙伟锋； 吴建辉；

【Author】 Sun Zhilin,Sun Weifeng,and Wu Jianhui(National ASIC System Engineering Research Center,Southeast University,Nanjing 210096,China)

【机构】 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心； 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096； 南京210096； 南京210096；

【摘要】 对SOI LDMOS进行了建模,得到了器件各主要参数的最优值与 SOI硅膜厚度的关系式.以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem 4对器件进行了模拟,得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随 SOI硅膜厚度的变化曲线,这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义.

【Abstract】 The SOI LDMOS is modeled.The correlations between several leading parameters and the SOI thickness are presented.The optimum impurity concentration and the maximum breakdown voltage are obtained by numerical analysis using Medici and Tsuprem 4.All these results are important for the design and fabrication of the device.

【关键词】 LDMOS； RESURF； SOI；
【Key words】 LDMOS； RESURF； SOI；
【基金】 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA1Z1550;2003AA1Z1400)~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2005年03期
  • 【分类号】TN432
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】224
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