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X波段功率单片放大器的研制

Development of X-Band GaAs MMIC Power Amplifier

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【作者】 王同祥武继斌张务永

【Author】 WANG Tong-xiang,WU Ji-bing,ZHANG Wu-yong(The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China)

【机构】 中国电子科技集团公司第13研究所中国电子科技集团公司第13研究所 石家庄050051石家庄050051

【摘要】 介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立。X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50Ω,单片性能达到输出功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波动≤0.3dB,输入驻波比≤2?1。

【Abstract】 The design,fabrication and performance of a newly developed two-stage X-band MMIC power amplifiers are described,including the big signal model extracting.The terminals of input and output were matched to 50Ω,The chips of MMIC were fabricated and its RF measurements are Pout ≥ 5W,ηadd ≥ 33%,Gp ≥ 13.5dB,Δ GP ≤± 0.3dB,VSWRin ≤ 2∶1.

【关键词】 功率单片放大器器件模型砷化镓
【Key words】 MMIC power amplifierdevice modeGaAs
【基金】 国防科技重点实验室基金项目(51433050103DZ230;51432050103DZ2301)
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2005年12期
  • 【分类号】TN722.75
  • 【被引频次】10
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