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射频溅射法制备掺铂TiO2薄膜的基本性质

Basic Properties of Pt-Doped TiO2 RF Sputtered Thin Films

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【作者】 何永华于国萍魏正和曾志锋

【Author】 HE Yong-hua, YU Guo-ping, WEI Zheng-he, Zeng Zhi-feng(School of Physics and Technology, Wuhan University,Wuhan 430072,Hubei,China)

【机构】 武汉大学物理科学与技术学院武汉大学物理科学与技术学院 湖北武汉430072湖北武汉430072湖北武汉430072

【摘要】 用射频反应溅射法制备了掺铂的TiO2薄膜.用X射线衍射仪(XRD),紫外 可见(UV vis)光谱仪,电子扫描显微电镜(SEM)和X光电子能谱分析仪(XPS)对薄膜的基本性质进行了表征.研究结果表明:掺铂可以显著促进锐钛矿相的生长;TiO2薄膜在紫外的吸收边发生红移,其光谱响应范围得到了提高;铂氧化物的分解,促使薄膜表面出现了分散分布的微米尺寸岛状突出物,同时导致单质铂在薄膜表面发生富集.

【Abstract】 Pt-doped TiO2 thin films were prepared by RF reactive sputtering.The doped TiO2 films were characterized by XRD,UV-vis, SEM and XPS. The results showed that: Pt could accelerate the formation of anatase; the absorption band Red-Shift occurred,which improved the absorption spectrum range of the films; something like island formed at the surface of the films because of the decomposition of Pt Oxide, and Pt concentrated on the surface of the films.

【关键词】 二氧化钛表面形貌富积
【Key words】 TiO2Ptsurface morphologyconcentration
【基金】 国家自然科学基金资助项目(59871033)
  • 【文献出处】 武汉大学学报(理学版) ,Wuhan University Journal(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2004年01期
  • 【分类号】O484.4
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】127
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