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W-Bi-Ti-O系陶瓷低场电学性能的温度特性

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【作者】 陈敏； 刘祖黎； 王传聪； 王豫； 羊新胜； 姚凯伦；

【机构】 华中科技大学物理系； 华中科技大学物理系 武汉 430074 湖南理工学院物理系； 岳阳 414000； 武汉 430074； 武汉 430074 南京大学固体微结构国家重点实验室； 南京 210008；

【摘要】 采用通常的固相合成工艺制备了Bi2WTi3O12陶瓷.在低场(E<100 V/mm)T,随温度的升高,样品的电学性质先呈现金属行为,100℃后变为无规的电涨落,300℃后则表现为半导体特征下的非线性行为.这些现象不能用电传导的热激发Arrhenius规律来解释.XRD分析表明样品中存在Bi2WO6主晶相和Bi4Ti13O12次晶相.考虑到WO3的相变后可以简单的解释上述实验结果.

【关键词】 伏安特性； 钛酸铋； 三氧化钨；
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,2004年01期
  • 【分类号】O482
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