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立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

Measurement of Half-wave Voltage on cBN with Transverse Electro-optic Modulation

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【作者】 窦庆萍； 马海涛； 贾刚； 陈占国； 李海兰； 张晓婷； 张铁臣；

【Author】 DOU Qingping, MA Haitao , JIA Gang , CHEN Zhanguo, LI Hailan , ZHANG Xiaoting , Zhang Tiechen(Jilin University Region, Jilin University State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,College of Electronic Science and Engineering , Changchun 130023; Mudanjiang Normal Institute, Mudanjiang 157012; State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130023)

【机构】 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学试验区； 吉林大学超硬材料国家重点实验室 长春 130023 牡丹江师范学院； 牡丹江 157012； 长春 130023； 长春 130023；

【摘要】 宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶 体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压.

【Abstract】 Cubic BN (cBN) , a kind of wide-gap semiconductor material, has zincblende structure and 43 m symmetry, so cBN is also a kind of electro-optic crystals. Transverse electro-optic modulation on cBN was carried out, for the first time the linear electro-optic effect in cBN was observed, and the half-wave voltage of cBN sample was measured.

【关键词】 cBN晶体； 线性电光效应； 半波电压；
【Key words】 cBN crystal linear electro-optic effect half-wave voltage；
【基金】 国家自然科学基金(60176009、 69976013、69676025);吉林省科学技术厅基金(20010580)资助
  • 【文献出处】 科学技术与工程 ,Science Technology and Engineer , 编辑部邮箱 ,2004年09期
  • 【分类号】O482
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】138
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