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基于微机械的多孔硅牺牲层技术

The Technology of Using Porous Silicon As a Sacrificial Layer in MEMS

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【作者】 周俊谢克文王晓红刘理天

【Author】 ZHOU Jun XIE Kewen WANG Xiaohong LIU Litian (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084,CHN)

【机构】 清华大学微电子学研究所清华大学微电子学研究所 北京100084北京100084

【摘要】 多孔硅作为一种牺牲层材料 ,在表面硅微机械加工技术中有着重要的应用。文中综合讨论了三种不同的多孔硅牺牲层技术 ,并用后两种“在低掺杂衬底上的多孔硅牺牲层技术”,制作了良好的悬空微薄膜结构 ,同时对多孔硅表面的薄膜淀积 ,和制备过程中的掩膜材料等进行了分析 ,为利用多孔硅工艺制作各种 MEMS器件奠定了基础。

【Abstract】 Porous silicon used as a sacrificial layer has some important applications in surface micromachining technology. Three different processes based on porous silicon as a sacrificial layer are discussed in detail. Freestanding microstructures are fabricated with the latter two separate techniques, then the deposition of film on the surface of porous silicon and masking layer in the fabrication of porous silicon are analyzed. All these provide solid foundation of fabricating diverse freestanding microstructures.

【关键词】 微机电系统多孔硅牺牲层
【Key words】 MEMSporous siliconsacrificial layer
【基金】 国家 973基础研究项目 (G19990 3 3 10 5 )
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2004年01期
  • 【分类号】TN304.05
  • 【被引频次】16
  • 【下载频次】330
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