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LaNiO3缓冲层对Pb（Zr,Ti）O3铁电薄膜的影响

Effect of LaNiO3 buffer layer on properties of Pb（Zr,Ti）O3 thin films

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【作者】 王根水； 石富文； 孙璟兰； 孟祥建； 戴宁； 褚君浩；

【Author】 WANG Gen-shui, SHI Fu-Wen, SUN Jing-Lan, MENG Xiang-Jian, DAI Ning, CHU Jun-hao(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, 200083 Shanghai, China)

【机构】 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室； 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083； 上海200083； 上海200083；

【摘要】 采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜。X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加。原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密。在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500kV/cm的外加电场下,剩余极化(Pr)为37.6μC/cm2,矫顽电场(EC)为65kV/cm;100kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著。

【Abstract】 PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)multilayer thin films were grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by a chemical solution route. The (111) orientation parameter decreases and (100) orienta-tion degree increases by adding LNO layer between PZT and Pt. PZT thin films deposited on LNO/Ptshow smooth surface morphology, denser structure than that deposited on Pt substrate. At an appliedelectric field of 500kV/cm, The remnant polarization (Pr) and coercive field (Ec) of the PZT thin films were obtained from the P-V loop measurements about 37.6μC/cm2 and 65kV/cm, respec-tively. Dielectric constant is 822 by adding a LNO layer. The properties are improved most profoundlyby a LNO layer with thickness of 40nm.

【关键词】 LaNiO3； PbZr0.4Ti0.6O3； 铁电薄膜； 剩余极化； 介电特性；
【Key words】 LaNiO3； PbZr0.4Ti0.6O3； ferroelectric thin films； remnant polarization； dielectric properties；
【基金】 国家自然科学基金委优秀实验室专项基金(60223006);上海市光科技项目(022261020);中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题资助项目(200304)
  • 【文献出处】 功能材料与器件学报 ,Journal of Functional Materials and Devices , 编辑部邮箱 ,2004年03期
  • 【分类号】O484
  • 【被引频次】12
  • 【下载频次】232
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