节点文献

单晶硅片超精密加工表面\亚表面损伤检测技术

Measurement of Silicon Wafer Surface/subsurface Damage Induced by ULtra-precision Processing

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 张银霞

【Author】 ZHANG Yin-xia (School of Mechanical Engineering, University of Dalian Technology, Dalian 116024, China)

【机构】 大连理工大学机械工程学院大连 大连 116024

【摘要】 对超精密加工的硅片的表层完整性的精密控制需要以精、准的检测技术为基础,本文概括性 的分析了用于超精密加工硅片的表面\亚表面损伤检测技术,并从破坏性和非破坏性两个角度对检测方 法的应用和发展进行了论述。

【Abstract】 The precise measurement is the base of the precisely controlling the silicon wafer surface and subsurface integrity during ultra-precision processing. In this paper, the measuring techniques involved in the assessment of silicon wafer damage have been discussed briefly. Moreover, the application and development of the techniques are presented.

【关键词】 超精密加工硅片损伤检测
【Key words】 ultra-precision processingsilicon waferdamagemeasurement
  • 【文献出处】 电子质量 ,Electronics Quality , 编辑部邮箱 ,2004年07期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】61
  • 【下载频次】1040
节点文献中: