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多栅GaAs MESFET开关的结构设计

Multi-Gate GaAs MESFET Switch

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【作者】 陈新宇; 郝西萍; 陈继义;

【Author】 Chen Xinyu,Hao Xiping and Chen Jiyi. (Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing210016,China)

【机构】 南京电子器件研究所; 南京电子器件研究所 南京210016; 南京210016; 南京210016;

【摘要】 论述了多栅开关的结构和特点 .针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析 ,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时 ,开关性能最优 ,并在实验中得到验证

【Abstract】 The structure and characteristic of multi-gate switch are described.A fundamental problem in switch design is to maintain low insertion loss when improving power handling capacity.Multi-gate switch solves the problem due to its typical structure.The optimality analysis of the distance between gates in the design of triple-gates switches is described.The results are verified by comparing two structures of triple-gate switches with the measured results.

  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2004年04期
  • 【分类号】TN386
  • 【被引频次】1
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