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具有混合I- V特性的静电感应晶体管的电性能(英文)

Electrical Performance of Static Induction Transistor with Mixed I-V Characteristics

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【作者】 王永顺; 刘肃; 李思渊; 胡冬青;

【Author】 Wang Yongshun,Liu Su,Li Siyuan and Hu Dongqing(Institute of Static Induction Device,School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China)

【机构】 兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所; 兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所 兰州730000; 兰州730000; 兰州730000;

【摘要】 研究了具有混合型 I- V特性的静电感应晶体管 ,提出了实现混合 I- V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系 .工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用 .讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子 β的作用 .研究结果对静电感应晶体管的设计和制造 ,特别对具有混合型 I- V特性的静电感应晶体管有实用价值 .

【Abstract】 The mixed non-saturating I-V characteristics of static induction transistor (SIT) are investigated.The optimum matching relations among the structural,material,and technological parameters are also presented.The technological experiments demonstrate that the channel parameters play a critical role in determining whether it is a mixed,triode-like or pentode-like I-V characteristics.The general control principles,methods,and criterions of fabrication parameters as well as the effect of control factor are analytically discussed.The results are useful for design and fabrication of SIT,especially for SIT with mixed I-V characteristics.

  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2004年03期
  • 【分类号】TN32
  • 【被引频次】10
  • 【下载频次】78
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