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RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)

Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

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【作者】 王晓亮； 胡国新； 王军喜； 刘新宇； 刘键； 刘宏新； 孙殿照； 曾一平； 钱鹤； 李晋闽； 孔梅影； 林兰英；

【Author】 Wang Xiaoliang1,Hu Guoxin1,Wang Junxi1,Liu Xinyu2,Liu Jian2,Liu Hongxin1, Sun Dianzhao1,Zeng Yiping1,Qian He2,Li Jinmin1,Kong Meiying1 and Lin Lanying1(1 Institute of Semiconductors,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China) (2 Microelectronics R&D Center,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院微电子中心； 中国科学院半导体研究所 北京100083； 北京100083； 北京100029； 北京100083；

【摘要】 用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为 10 35 cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 1.0× 10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为 2 6 5 3cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 9.6× 10 1 2 cm- 2 的 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料 .用此材料研制的器件 (栅长为 1μm,栅宽为 80μm,源 -漏间距为 4μm )的室温非本征跨导为 186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为 92 5 m A/m m,特征频率为 18.8GHz.

【Abstract】 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) materials are grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE) and HEMT devices are fabricated and characterized.The HEMT materials have a mobility of 1035cm2/(V·s) at sheet electron concentration of 1.0×10 13cm -2at room temperature.For the devices fabricated using the materials,a maximum saturation drain-current density of 925mA/mm and a peak extrinsic transconductance of 186mS/mm are obtained on devices with gate length and width of 1μm and 80μm respectively.The f t,unit-current-gain frequency of the devices,is about 18.8GHz.

【关键词】 高电子迁移率晶体管； 氮化镓； 场效应晶体管； RF-MBE；
【Key words】 HEMT； GaN； FET； RF-MBE；
【基金】 国家自然科学基金(批准号:60136020);国家重点基础研究发展规划(Nos.G20000683,2002CB311903);国家高技术研究发展计划(No.2002AA305304)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2004年02期
  • 【分类号】TN32
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】131
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