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开管扩Ga模型的初步建立

Initinal Establishment of the Module of Open-tube Ga Diffusion

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【作者】 裴素华； 孙海波； 修显武； 薛成山； 杨利； 郭兴龙；

【Author】 PEI Suhua;SUN Haibo;XIU Xianwu;XUE Chengshan;YANG Li;GUO Xinglong Institute of Semiconductor, Shandong Normal University, Jinan 250014

【机构】 山东师范大学半导体所； 山东师范大学半导体所 济南 250014； 济南 250014； 济南 250014；

【摘要】 依照二次离子质谱（SIMS）、扩散电阻（SRP）和原子力显微镜（AFM）等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO2膜的吸收输运和SiO2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO2/Si系下开管扩散Ga的模型。

【Abstract】 Relying on the analytical means of SIMS, SRP and AFM, theaccordance of the absorption transport of P-type impurity Gallium in SiO2 thinfilm and the segregation effect in the intemal interface of SiO2/Si system waselucidated. The work of controllable doping of Ga in silicon substrate is fin-ished. Finally the surface effect and bulk effect in SiO2 thin film, and initiallyset up the module of open-tube Ga diffusion in SiO2/Si interface are revealed.

【关键词】 Ga； SiO2/Si； 开管扩散模型；
【Key words】 Ga； SiQ2/Si； module of open-tube diffusion；
【基金】 国家自然科学基金(69976019);山东省自然科学基金(Y99G01)
  • 【文献出处】 科学技术与工程 ,Science Technology and Engineer , 编辑部邮箱 ,2003年01期
  • 【分类号】O471
  • 【下载频次】46
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