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水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

Simulation of gas flow in horizontal HVPE reactor and GaN growth

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【作者】 孟兆祥； 于广辉； 叶好华； 雷本亮； 李存才； 齐鸣； 李爱珍；

【Author】 MENG Zhao - xiang, YU Guang - hui, YE Hao - hua, LEI Ben - liang,LI Cun - cai, QI Min, LI Ai - zhen (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050, China)

【机构】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所； 信息功能材料国家重点实验室； 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050； 上海 200050； 上海 200050；

【摘要】 建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec。

【Abstract】 Model of fluid dynamic for GaN HVPE system was setup, gas concentration in the reactor was simulated. Effect of GaCl and NH3 tube configuration inside the reactor on the gas concentration was discussed. Reactor configuration is optimized based on the simulation results. GaN epilayer is grown with good uniformity in thickness, the FWHM of rocking curve is 660arcsec.

【关键词】 GaN； HVPE； 流体动力学；
【Key words】 GaN； HVPE； fluid dynamic；
【基金】 国家863项目(No.2001AA311100)
  • 【文献出处】 功能材料与器件学报 ,Journal of Functional Materials and Devices , 编辑部邮箱 ,2003年04期
  • 【分类号】TN304.05
  • 【被引频次】20
  • 【下载频次】219
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