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多孔硅M/PS结的研究

The Study of the Porous Silicon M/PS Nodes

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【作者】 徐伟弘； 许国良； 王发强；

【Author】 XU Wei hong 1, XU Guo liang 2, WANG Fa qiang 2 (1.Electronic Engineering Department, Southeast University, Nanjing, 210096, China; 2.Research Center of Optical Communication Engineering, Nanjing University, Nanjing,210093,China )

【机构】 东南大学电子工程系； 南京大学光通信工程研究中心； 南京大学光通信工程研究中心 南京； 210096； 南京； 210093； 210093；

【摘要】 对不同金属形成的 M/PS/Si/Al结构样品进行测试 ,发现其 I- V特性曲线具有相似的形状 ,区别仅在于高偏压下的串连电阻不同 ,通过进行表面态对 M/PS影响的分析可知 M/PS具有欧姆行为特性

【Abstract】 The samples with the structure of M/PS/Si/Al deposited with different metal films were measured. The results indicated that the I V characteristics of all the samples had the similar shape. The only difference among the samples is that their series resistances were different. With the analysis of the effect of surface state on the M/PS, it is concluded that M/PS possess the ohm characteristics.

【关键词】 多孔硅； I-V特性；
【Key words】 porous silicon； I V characteristic；
  • 【文献出处】 光电子技术 ,Optoelecfronic Technology , 编辑部邮箱 ,2003年01期
  • 【分类号】TN304.12
  • 【被引频次】2
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