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PIN二极管的PSPICE子电路模型

A New PSPICE Subcircuit Model of Power PIN Diode

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【作者】 施浩； 陆鸣；

【Author】 SHI Hao, LU Ming (Research Institute of Micro/Nanometer Science and Technology, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030, China)

【机构】 上海交通大学微纳米科学技术研究院； 上海交通大学微纳米科学技术研究院 上海200030； 上海200030；

【摘要】 提出了一种PIN二极管的PSPICE子电路模型。该模型同时考虑了二极管的反向恢复、端区复合以及空间电荷区边界移动效应。能更精确地模拟PIN二极管的开关特性。仿真结果证明了该模型的正确性和准确性

【Abstract】 A new PSPICE subcircuit model of power PIN diode is developed. The model takes into consideration of reverse recovery, emitter recombination and moveable bound effect. The model can accurately simulate switching behavior of PIN diode.

【关键词】 二极管； 模型； 仿真/子电路； PIN二极管；
【Key words】 diode； model； simulation/ subcircuit； PIN diode；
  • 【文献出处】 电力电子技术 ,Power Electronics , 编辑部邮箱 ,2003年03期
  • 【分类号】TN31
  • 【被引频次】18
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